檢測項目

高溫高濕反偏測試等。

適用范圍

Si、SiC、GaN材料的IGBTs、DIODEs、MOSFETs、BJTs、SCRs等半導(dǎo)體功率器件等。

相關(guān)檢測標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT)

IEC 60747-1：2006 半導(dǎo)體器件 第1部分：總則

IEC 60747-2 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分：整流二*管

IEC 60747-6 半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管

IEC 61340(所有部分)靜電

辦理檢測報告的目的

1、評定產(chǎn)品質(zhì)量的好壞;

2、判斷產(chǎn)品質(zhì)量等級，即缺陷嚴(yán)重程度;

3、對工藝流程進行檢驗和工序質(zhì)量的監(jiān)督;

4.對質(zhì)量數(shù)據(jù)進行搜集統(tǒng)計與分析，以便為質(zhì)量改進與質(zhì)量管理活動的開展奠定基礎(chǔ);

5.引入仲裁檢驗判斷質(zhì)量事故責(zé)任。

檢測報告的注意事項

1.報告中沒有“研究測試專用章”和公章，報告沒有防偽二維碼無效;

2.復(fù)制的報告不復(fù)蓋“研究測試專用章”或者公章無效;

3.報告沒有主檢，審查，審批人員簽名無效;

4.涂改報告無效的;

5.檢測報告如有異議，應(yīng)當(dāng)在收到報告后15日內(nèi)提出，逾期不予受理;

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